En un informe que publica hoy la revista Nature, el Laboratorio de Tecnología Fotónica de Intel revela una manera de superar el obstáculo inicial del uso del silicio como medio para generar un haz de láser, un efecto en el que los electrones liberados por la energía de fotones pasajeros absorben la luz que pasa. Un grupo de investigadores del mayor fabricante mundial de microchips del mundo superó el problema -llamado absorción de dos fotones- usando una técnica propia del mundo de los semiconductores: crearon regiones de energía positivas y negativas alrededor del trayecto del rayo láser, que "aspiran" los electrones y dejan el camino libre para el láser.
Un rayo láser continuo generado a partir de silicio, que es transparente para la luz infrarroja, podría dejar atrás las limitaciones de costos y tamaño de los actuales sistemas láser usados en cirugía y comunicaciones, que necesitan materiales más caros y extraños. Sin embargo, Bahram Jalali, un profesor de ingeniería electrónica de la Universidad de California en Los Ángeles que también ha trabajado con láser de silicio, dijo que el desarrollo de Intel es una promesa en el campo de las aplicaciones para el área de defensa, como medio de protección a través de artefactos infrarrojos contra misiles dirigidos hacia fuentes de calor, aunque no será un buen sustitutivo de otras aplicaciones más comunes. "Es importante entender que el láser Raman no es un sustitutivo de los láser de diodo existentes, como los usados para los reproductores de DVD y equipos de telecomunicaciones", explicó Jalali.
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Investigadores de Intel han creado el primer rayo láser continuo usando componentes de silicio, un logro que la compañía ha calificado como un gran avance científico que podría presagiar significativos avances en la medicina y las comunicaciones. 
