El XDR™ de 512 megabytes de segunda generación tiene una velocidad pico de 6.4GHz, y está diseñado para aplicaciones de ancho de banda de alto desempeño, incluyendo aparatos electrónicos digitales de consumo, sistemas de redes y sistemas gráficos.
El XDRTM DRAM está basado en la tecnología de interfaz de memoria XDR de Rambus (Nasdaq: RMBS) y ofrece una velocidad de datos octagonal (ODR), que soporta transferencias de ocho datos en un solo ciclo de reloj. El DRAM (TC59YM916BKG) XDRTM de 512 megabits transfiere datos a 4.8GHz con un VDD de 1.8V y soporta una operación pico de 6.4GHz, la velocidad de transferencia de datos más veloz lograda hasta ahora: cuatro veces más rápida que el desempeño de los chips de memoria Graphic Double Data Rate (GDDR) de 1.6GHz y doce veces más rápida que las mejores memorias PC de 533MHz de su clase.
Las aplicaciones de banda ancha de próxima generación requieren procesamiento en tiempo real de enormes cantidades de datos, lo que sólo puede lograrse con el soporte de chips de memoria de gran capacidad y ultra alta velocidad. Toshiba satisface estas necesidades con su XDRTM DRAM. La compañía continuará desarrollando y comercializando el XDRTM DRAM como un dispositivo de memoria junto con la memoria flash NAND y MCP.
“Toshiba ha estado jugando un papel de liderazgo en llegar a la tecnología XDRTM DRAM”, afirmó Shozo Saito, vicepresidente de la División de Memoria de Semiconductores de Toshiba Corporation. “Fuimos los primeros en el mundo en ofrecer una muestra del XDRTM DRAM de primera generación en diciembre de 2003. Planeamos producir de forma masiva nuestros XDRTM DRAMs de 512 megabits de segunda generación en la segunda mitad de 2005 para asegurar nuestro liderazgo en esta área de negocio”.
PRINCIPALES ESPECIFICACIONES
Configuración: Palabra de 4 megabits x 8 bancos x 16 bits (x4/x8/x16 programable)
Fuente de energía: 1.8V VDD
Tamaño del paquete:1.27mm x 0.8mm pitch BGA
Interfaz: DRSL (Differential Rambus Signal Level)
Velocidad max de datos: 4.8GHz
Tiempo min. del ciclo: 40ns (tRC)
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Toshiba Corporation anunció un DRAM de alto desempeño que alcanza la velocidad de transferencia de datos más rápida que ningún otro dispositivo de memoria ha logrado. 
