Biwin presenta las Memorias de HP V2 DDR4 U-DIMM

Biwin, empresa especializada en la investigación, desarrollo, fabricación y venta de productos de aplicación de chip de memoria (IC), anunció la disponibilidad del módulo de memoria HP V2 DDR4 U-DIMM.

 

“Estamos anunciando la disponibilidad en Colombia de la memoria HP V2 DDR4 U-DIMM diseñada para actualizar y ampliar la memoria de la PC. La nueva generación del módulo de memoria DDR4, incluye la frecuencia principal de hasta 2,400 y 2,666MHz, y puede mejorar significativamente el rendimiento y acelerar la respuesta a la carga de aplicaciones. Con la memoria HP V2 DDR4, la PC estará libre de congelamiento y retraso, y es adecuada para entretenimiento en el hogar, trabajo de oficina, y aplicaciones de enseñanza,” sostuvo Juan Carlos FlorezGerente de ventas en Colombia de Biwin. Y agregó: “El módulo de memoria HP V2 DDR4 está especialmente diseñado para usuarios que buscan mejorar el rendimiento de la memoria accesible, que es adecuada para equipos de escritorio. Proporciona una excelente compatibilidad y estabilidad a mayor capacidad de procesamiento de datos, también admite conmutación multitarea y puede estimular profundamente el potencial del sistema.”

 

“Como el flash de alta calidad seleccionado se sometió a rigurosas pruebas durante todo el proceso de acuerdo con los estándares JEDEC, cada producto tiene un excelente rendimiento y estabilidad. Nuestra memoria pasó la prueba de compatibilidad de las principales marcas de motherboards para garantizar un funcionamiento estable y a largo plazo en diferentes plataformas,” explicó Juan Carlos Florez, y concluyó: “El V2 opera en alto rendimiento y bajo consumo de energía a un voltaje de 1.2V. Además, mantiene la estabilidad de la operación continua de carga de trabajo de alta exigencia, respetando los estándares de protección del medio ambiente RoHS.”

 

Características Técnicas de la memoria HP V2 DDR4 U-DIMM

RAM: DDR4

DIMM: U-DIMM

Velocidad de datos: 2400 MHz / 2666 MHz

CL: CL17 / CL19

Densidad: 8 GB / 16 GB

Rango: 1Rx8 / 2Rx8

DRAM: 512Mbx8 / 1Gbx8

Voltaje: 1.20 V

Temperatura de funcionamiento: 0 ℃ ~ 85 ℃

Dimensiones: 133.25×31.25×3.90mm

Peso: ≤16.5g

Pin: 288 Pin

Garantía limitada: 5 años

Certificación: RoHS 、 CE 、 FCC